近期消息称，全球半导体巨头英特尔已正式启动运用极紫外光刻（EUV）技术大规模生产Intel 4制程节点。这一消息周五晚间通过英特尔中国官方公众号公布，对于这次引用EUV技术产生的制程节点，英特尔给出了很高的评价，表示它在性能、能效和晶体管密度等方面达到了前所未有的提升，并强调这一技术将使得以往只能通过大量计算才能实现的计算需求得以满足，如人工智能、高级移动网络、自动驾驶、新兴数据中心和云技术应用等。
此次大规模量产的 Intel 4制程节点是英特尔首次与EUV技术结合的产品，这无疑标志着英特尔在全球半导体领域的领先地位。按照“四年五个制程节点“计划，英特尔将以英特尔7、Intel 4为先导，大规模量产对应制程节点。其中大规模量产Intel 7和Intel 4已经圆满完成，而进展顺利的节点 Intel 3预计在2023年年末完成大规模量产。
接下来，英特尔也将采用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术的Intel 20A和Intel 18A。“四年五个制程节点” 的目标定于2024年。领先的产品代号’Meteor Lake’的Intel 酷睿Ultra处理器已在今年12月14日正式发布，该产品也是采用了Intel 4制程节点。在此之后，预计在明年上半年将会出现更多新的产品发布， 例如至强处理器Sierra Forest 和精致处理器Granite Rapids。
作为一款高效的处理器，Sierra Forest采用了运营优化技术，能效核（E-core）和互补的处理器技术，目标是实现更快、更高效的运算效果。同样，高性能的性能核（P-core）也是Granite Rapids的一大亮点，这两款产品都将采用了Intel 3制程节点。
值得一提的是，英特尔已在9月举行的ON技术创新峰会上介绍了这一Intel 4制程工艺，并表示它相比Intel 7制程实现了面积的二倍微缩，带来了高性能逻辑库，同时还引入了多项创新。尤其是EUV光刻技术的引入，简化了工艺流程。Intel 4针对高性能计算应用也进行了优化，实现了低电压运行，以及实现了高密度MIM（金属- 绝缘体 – 金属）电容器，以此出色的供电性能。
在半导体行业发展的激烈竞争中，制程工艺的雄心壮志和创新高密应用是全球各大厂商努力的方向。而英特尔无疑成为了一颗耀眼的明星，其对制程工艺的深入研究与持续改进，推动着全球半导体工艺向更微小、更高效的新境界发展。
